產(chǎn)品概述
ADM16F03A1Q
ADM16F03A1Q是一款針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的高性能SoC，主頻高達(dá)150MHz，集成運(yùn)算加速器、運(yùn)放、比較器、ADC、PWM控制器及通訊外設(shè)、預(yù)驅(qū)動(dòng)器和LDO，12V直接供電；AEC-Q100認(rèn)證；支持多種電機(jī)驅(qū)動(dòng)
數(shù)據(jù)手冊(cè) →車(chē)規(guī)
產(chǎn)品特性
● 單電源供電
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預(yù)驅(qū)12V，內(nèi)核1.2V，數(shù)字IO口5V，模擬3V）
● 高性能16位定點(diǎn)DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結(jié)構(gòu)
– 快速中斷響應(yīng)和處理
● 片內(nèi)存儲(chǔ)器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運(yùn)算加速單元
– 32位乘加及移位
● 17個(gè)通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構(gòu)成3組互補(bǔ)輸出，PWM7/8獨(dú)立輸出）
– 1組正交編碼單元
– 3個(gè)捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時(shí)刻
● 集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅(qū)動(dòng)電路高側(cè)浮動(dòng)絕對(duì)電壓可達(dá)200V
– 驅(qū)動(dòng)能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉(zhuǎn)換速率1MSPS
– 16通道，連接到片內(nèi)溫度傳感器
– 通道排序器，可設(shè)置ADC采樣通道序列
● 運(yùn)算放大器
– 1個(gè)OP，可用于母線電流信號(hào)調(diào)理
– 3個(gè)PGA，可用于相電流信號(hào)調(diào)理
● 電壓比較器
– 3個(gè)電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測(cè)
– 2個(gè)電壓比較器，帶參考電壓（DAC產(chǎn)生），可用于保護(hù)
● 中斷
– 2個(gè)外部中斷
– 29個(gè)由PIE設(shè)置的外設(shè)中斷
● 數(shù)字延時(shí)濾波
– 3組獨(dú)立配置延時(shí)濾波單元 分別對(duì)應(yīng)外部中斷、功率保護(hù)和CAP1/2/3
● 串行通訊外設(shè)
– SCI
● 時(shí)鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點(diǎn)功能
– 基于硬件的實(shí)時(shí)調(diào)試
● ESD等級(jí)(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過(guò)AEC-Q100）
● 結(jié)溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
– 4.5V～40V
– 集成LDO（預(yù)驅(qū)12V，內(nèi)核1.2V，數(shù)字IO口5V，模擬3V）
● 高性能16位定點(diǎn)DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結(jié)構(gòu)
– 快速中斷響應(yīng)和處理
● 片內(nèi)存儲(chǔ)器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運(yùn)算加速單元
– 除法、開(kāi)方
– 反正切
– 帕克變換– 32位乘加及移位
● 17個(gè)通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構(gòu)成3組互補(bǔ)輸出，PWM7/8獨(dú)立輸出）
– 1組正交編碼單元
– 3個(gè)捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時(shí)刻
● 集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動(dòng)電路
– 六路NMOS Pre-Driver
– 柵極驅(qū)動(dòng)電路高側(cè)浮動(dòng)絕對(duì)電壓可達(dá)200V
– 驅(qū)動(dòng)能力IO+/IO-:+1.2A/-2.0A VDRV=12V，VBS=12V
● ADC
– 12位，轉(zhuǎn)換速率1MSPS
– 16通道，連接到片內(nèi)溫度傳感器
– 通道排序器，可設(shè)置ADC采樣通道序列
● 運(yùn)算放大器
– 1個(gè)OP，可用于母線電流信號(hào)調(diào)理
– 3個(gè)PGA，可用于相電流信號(hào)調(diào)理
● 電壓比較器
– 3個(gè)電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測(cè)
– 2個(gè)電壓比較器，帶參考電壓（DAC產(chǎn)生），可用于保護(hù)
● 中斷
– 2個(gè)外部中斷
– 29個(gè)由PIE設(shè)置的外設(shè)中斷
● 數(shù)字延時(shí)濾波
– 3組獨(dú)立配置延時(shí)濾波單元 分別對(duì)應(yīng)外部中斷、功率保護(hù)和CAP1/2/3
● 串行通訊外設(shè)
– SCI
● 時(shí)鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~15x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點(diǎn)功能
– 基于硬件的實(shí)時(shí)調(diào)試
● ESD等級(jí)(HBM)：2000V
● 溫度范圍：-40°C~125°C（通過(guò)AEC-Q100）
● 結(jié)溫：-40°C~150°C
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
